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AOTF2210L 是 AOS 公司推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。该器件核心规格包括 200V 的漏源电压（Vdss）以及壳温（Tc）下高达 13A 的连续漏极电流（Id），具备较强的功率处理能力。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻（最大 90mΩ @ 10V, 13A）与适中的栅极电荷（最大 40nC @ 10V），这有助于在开关应用中实现较低的导通损耗与可管理的开关损耗。器件支持标准的 5V/10V 栅极驱动，最大结温为 175°C，配合散热器可实现最高 36.5W 的功率耗散，适用于各类中功率开关电源、电机驱动及功率转换场景。

• 型号:AOTF2210L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 6.5A/13A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2065 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），36.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF2210L，AOS产品一站式供应商。