
我们为全球各个行业提供AOS AOTF2210L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF2210L 是 AOS 公司推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220-3F 通孔封装。该器件核心规格包括 200V 的漏源电压(Vdss)以及壳温(Tc)下高达 13A 的连续漏极电流(Id),具备较强的功率处理能力。
其关键电气特性表现为较低的导通电阻(最大 90mΩ @ 10V, 13A)与适中的栅极电荷(最大 40nC @ 10V),这有助于在开关应用中实现较低的导通损耗与可管理的开关损耗。器件支持标准的 5V/10V 栅极驱动,最大结温为 175°C,配合散热器可实现最高 36.5W 的功率耗散,适用于各类中功率开关电源、电机驱动及功率转换场景。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







