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零件图片(仅供参考)
AOTF2210L
规格参数

AOTF2210L 是 AOS 公司推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220-3F 通孔封装。该器件核心规格包括 200V 的漏源电压(Vdss)以及壳温(Tc)下高达 13A 的连续漏极电流(Id),具备较强的功率处理能力。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻(最大 90mΩ @ 10V, 13A)与适中的栅极电荷(最大 40nC @ 10V),这有助于在开关应用中实现较低的导通损耗与可管理的开关损耗。器件支持标准的 5V/10V 栅极驱动,最大结温为 175°C,配合散热器可实现最高 36.5W 的功率耗散,适用于各类中功率开关电源、电机驱动及功率转换场景。

  • 制造商产品型号:AOTF2210L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 6.5A/13A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.5A(Ta),13A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2065pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):8.3W(Ta),36.5W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220-3F
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOTF2210L
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 200V 6.5A/13A TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF2210L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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