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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF9N70是AOS公司推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心参数包括700V的漏源击穿电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为高压功率切换应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.2欧姆，能显著降低传导损耗。同时，最大35nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。
基本参数：
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