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AOWF9N70是AOS公司推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心参数包括700V的漏源击穿电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为高压功率切换应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.2欧姆，能显著降低传导损耗。同时，最大35nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。

• 制造商产品型号：AOWF9N70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• AOWF9N70，AOS产品一站式供应商。