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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6482是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和低至37毫欧（@10V, 10A）的导通电阻（Rds(on)），这有效降低了功率损耗，提升了系统整体效率。
此外，其低栅极电荷（Qg， 最大44nC @10V）特性有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关应用。器件在管壳温度（Tc）条件下支持高达28A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和强大的负载处理能力。
基本参数：
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