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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6156 是 AOS 公司生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 8-DFN-EP 封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值 2.6mΩ @10V, 20A）和高电流处理能力（连续漏极电流 100A @Tc），这使其在传导损耗方面表现卓越，适用于高电流路径。
器件具备 45V 的漏源电压额定值，并优化了开关特性，栅极电荷（Qg）最大值仅为 70nC，有助于实现高效率的快速开关操作。其宽工作结温范围（-55°C 至 150°C）和良好的热性能封装，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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