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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4854是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的N沟道MOSFET,其栅极阈值电压低至2.4V,可直接由3.3V或5V微处理器驱动,简化了电路设计。
该MOSFET具备30V的漏源电压和8A的连续漏极电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs条件下典型值仅为19毫欧,能显著降低导通损耗,提升系统效率。同时,较低的栅极电荷(18nC)和输入电容确保了快速的开关性能,适用于高频开关应用。
凭借其紧凑的封装、优异的电气性能和宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C),AO4854是高效率电源转换、电机驱动、负载切换等应用的理想选择。

基本参数:

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