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AON6908ALS_101 是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN表面贴装封装，集成了两个非对称的功率开关管。其核心优势在于极低的导通电阻，分别可低至8.9毫欧和3.6毫欧，配合优化的栅极电荷，能有效降低传导与开关损耗，提升系统整体效率。

该器件设计用于30V电压系统，支持高达46A与80A（Tc）的连续漏极电流，并具备-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为高密度电源转换和电机驱动应用的理想选择，例如服务器电源、笔记本VRM及POL转换器等。

• 制造商产品型号：AON6908ALS_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Ta），46A（Tc），17A（Ta），80A（Tc）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.9 毫欧 @ 11.5A，10V，3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A，2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V，38nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1110pF @ 15V，5260pF @ 15V
• 功率-最大值：1.9W（Ta），31W（Tc），2.1W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• AON6908ALS_101，AOS产品一站式供应商。