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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB11N60L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流（Id），提供了处理高压大电流应用的能力。
该器件的关键优势在于其较低的导通损耗，在10V驱动下导通电阻（Rds(On)）最大值仅为700毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值为37nC，有助于实现高效率与快速的开关性能。其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。请注意，此型号目前已处于停产状态。
基本参数：
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