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零件图片（仅供参考）
AOH3106
规格参数

AOH3106是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223封装，专为需要高效功率切换的应用而设计。其核心优势在于100V的漏源耐压和低至360毫欧的导通电阻（@10V Vgs, 2A Id），在提供高电压处理能力的同时，显著降低了导通损耗。

该器件具备优异的动态特性，最大栅极电荷仅为10nC，有助于实现高速开关并减少开关损耗。其2A的连续电流能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和负载管理等应用的理想解决方案。

  • 制造商产品型号：AOH3106
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：185pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-223
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOH3106
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOH3106的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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