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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT8N80L 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心电气参数包括800V的漏源击穿电压（Vdss）和7.4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.63欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，32nC的低栅极电荷（Qg）优化了开关性能，使得它能够在高频开关电源设计中实现更高的效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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