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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4800L是AOS推出的一款双N沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内，为高密度PCB设计提供了紧凑的双开关解决方案。其核心优势在于优异的电气性能平衡，具备30V的漏源电压和6.9A的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键卖点包括极低的导通电阻（27mΩ @ 10V Vgs）以最小化传导损耗，以及较低的栅极电荷（7nC）和输入电容（630pF），这共同实现了高效的快速开关操作，并降低了驱动需求。其1.5V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的兼容性。宽工作结温范围（-55°C 至 150°C）则增强了其在各种环境下的可靠性。
基本参数：
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