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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONP36336是一款30V、双N沟道、非对称配置的功率MOSFET阵列。其核心卖点在于极低的导通电阻（Rds(on)最大值4.7mΩ @20A, 10V）与优化的栅极电荷（Qg最大值29nC @10V），这共同实现了高效率与快速开关性能的平衡，显著降低功率损耗。
该器件采用紧凑的8-PowerVDFN表面贴装封装，在-55°C至150°C的结温范围内工作，连续漏极电流（Id）能力达50A（Tc），功率耗散能力高达33W（Tc），具备强大的电流处理与散热性能。其非对称结构为设计提供了灵活性，适用于需要不同特性MOSFET协同工作的紧凑型高功率密度电路。
基本参数：
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