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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7524是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件额定电压30V，在管壳温度下可持续承受高达28A的漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为3.3毫欧，能有效降低传导损耗。
该MOSFET具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。其栅极驱动电压兼容低压逻辑电平（2.5V/10V），工作结温范围宽（-55°C至150°C），结合DFN封装的良好散热能力，为高功率密度、高效率的电源转换和电机控制应用提供了可靠的解决方案。
基本参数：
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