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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB286L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）低至5.7毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为63nC，这共同保障了低导通损耗与高效率的开关操作。
该器件额定漏源电压（Vdss）为80V，具备强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）25°C下连续漏极电流（Id）可达70A，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。这些特性使其成为高功率密度设计的理想选择，尤其适用于同步整流、电机驱动及工业电源等应用领域。
基本参数：
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