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AON7418A是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高密度电源应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值1.7mΩ @ 10V, 20A）与较低的栅极电荷（最大值65nC @ 10V）的出色结合，这能显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达50A的连续电流，具备强大的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和紧凑的表面贴装形式，使其能够适应严苛环境下的高可靠性设计要求，适用于同步整流、DC-DC转换及电机控制等关键电路。

• 型号:AON7418A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2994 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AON7418A，AOS产品一站式供应商。