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零件图片（仅供参考）
AON6588
规格参数

AON6588是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效功率转换设计。其核心电气参数突出，在10V Vgs下导通电阻低至3.3毫欧，同时栅极电荷仅为42nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的优异平衡。

该器件额定电压30V，连续漏极电流达32A，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其能够显著提升系统的能源效率与功率密度，主要面向同步整流、电机驱动及高密度DC-DC转换器等应用，为工程师提供了高可靠性的功率开关选择。

  • 制造商产品型号：AON6588
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：32A（Ta），32A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2160pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），46W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6588
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6588的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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