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AON6588是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效功率转换设计。其核心电气参数突出，在10V Vgs下导通电阻低至3.3毫欧，同时栅极电荷仅为42nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的优异平衡。

该器件额定电压30V，连续漏极电流达32A，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其能够显著提升系统的能源效率与功率密度，主要面向同步整流、电机驱动及高密度DC-DC转换器等应用，为工程师提供了高可靠性的功率开关选择。

• 型号:AON6588
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6588，AOS产品一站式供应商。