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零件图片（仅供参考）
AON7412
规格参数

AON7412是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高效、紧凑的电源管理解决方案而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压额定值，以及在10V Vgs和10A Id条件下低至20毫欧（最大值）的导通电阻，这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。

该器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷仅为15nC @ 10V，阈值电压最大为2V，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其电流处理能力在管壳温度下可达16A，结合20.8W（Tc）的最大功率耗散和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与鲁棒性。

  • 制造商产品型号：AON7412
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），16A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：466pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20.8W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7412
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7412的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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