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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT2142L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流额定值，展现出强大的功率处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻最大值仅为1.9毫欧，这能显著降低功率转换或电机驱动应用中的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为100nC，有助于实现高效的开关性能并降低驱动损耗。这些特性使其成为高电流、高效率电源管理和电机控制应用的理想选择。
基本参数：
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