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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF14N50FD是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3F封装。该器件具备500V的漏源电压(Vdss)和14A的连续漏极电流(Id)能力,为高压功率应用提供了坚实的基础。
其核心优势在于优异的导通特性,在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))低至470毫欧(@7A),配合最大仅47nC(@10V)的栅极电荷(Qg),有效降低了导通与开关损耗,提升了系统效率。器件支持±30V的栅源电压,工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。

基本参数:
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