AOTF8N50L_004（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOTF8N50L_004是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用TO-220F封装。其核心优势在于高达500V的漏源击穿电压（Vdss），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化内部结构，实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统的能效与功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换设计的理想选择。

制造商产品型号：AOTF8N50L_004

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 500V TO-220F

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：最後

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOTF8N50L_004，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOTF8N50L_004

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 500V TO-220F

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOTF8N50L_004的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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