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AOTF8N50L_004是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用TO-220F封装。其核心优势在于高达500V的漏源击穿电压（Vdss），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化内部结构，实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统的能效与功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOTF8N50L_004
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V TO-220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：最後
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AOTF8N50L_004，AOS产品一站式供应商。