AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10N50FD是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压高效应用中的价值：500V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而10A的连续漏极电流（Id）与低至750毫欧的导通电阻（Rds(on)）相结合，确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗。
此外，该器件具备35nC的低栅极电荷（Qg），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散为50W，展现了良好的热性能和环境适应性。这些参数使其成为开关电源、电机驱动等高压功率转换电路中追求效率与可靠性的优选器件。
基本参数：
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