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零件图片(仅供参考)
规格参数
AOD512是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化,具备30V的漏源电压(Vdss)和极低的导通电阻(典型值2.4毫欧 @ 10V, 20A),能显著降低传导损耗。
该器件支持高达70A(Tc)的连续漏极电流,并拥有快速的开关特性(栅极电荷Qg最大64nC @ 10V),适用于高频开关应用。其宽工作结温范围(-55°C 至 175°C)和强大的功率处理能力(最大耗散83W @ Tc),确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和稳定性,是同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。
制造商产品型号:AOD512制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 27A/70A TO252系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):27A(Ta),70A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):64nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3430pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),83W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-252,(D-Pak)AOD512,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AOD512
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 27A/70A TO252
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AOD512的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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