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AOD512是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（典型值2.4毫欧 @ 10V， 20A），能显著降低传导损耗。

该器件支持高达70A（Tc）的连续漏极电流，并拥有快速的开关特性（栅极电荷Qg最大64nC @ 10V），适用于高频开关应用。其宽工作结温范围（-55°C 至 175°C）和强大的功率处理能力（最大耗散83W @ Tc），确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和稳定性，是同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

• 型号:AOD512
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD512，AOS产品一站式供应商。