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零件图片（仅供参考）
AON7432
规格参数

AON7432是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）封装，具有30V的漏源电压（VDSS）额定值。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V VGS下典型值仅为15毫欧，以及仅为26nC的低栅极电荷（Qg），这共同确保了在开关电源应用中实现低传导损耗和高频开关性能。

该器件在管壳温度（Tc）下可支持高达18A的连续漏极电流和20.8W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，提供了强大的电流处理能力和环境适应性。这些特性使其成为空间受限、追求高效率的DC-DC转换、电机控制和电源分配设计的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON7432
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 10.5A/18A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta），18A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 10.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：813pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20.8W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7432
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 10.5A/18A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7432的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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