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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7403是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率、低损耗应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、8A Id条件下，Rds(On)最大值仅为18毫欧，配合最大24nC的栅极电荷（Qg），有效降低了传导与开关损耗。其电流处理能力出色，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达29A，支持高负载应用。宽广的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在各种环境下的稳定运行。
基本参数：
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