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零件图片(仅供参考)
AONS36354
规格参数

AONS36354是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET,采用DFN 5x6封装,额定漏源电压(Vdss)为30V。该器件针对高效率功率转换应用进行了优化,其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。

其紧凑的封装形式提供了出色的散热性能,有助于在空间受限的设计中实现高功率密度。该MOSFET适用于需要高性能开关的各类电源管理场景,是提升系统能效和可靠性的关键组件之一。

  • 制造商产品型号:AONS36354
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V DFN 5X6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AONS36354
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V DFN 5X6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONS36354的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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