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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3814是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装，专为高密度、高效率的功率开关应用而优化。该器件集成了两个逻辑电平驱动的N沟道MOSFET，采用共漏极配置，简化了电路布局并节省了PCB空间。
其核心电气参数表现出色，在Vgs=4.5V、Id=6A条件下，导通电阻典型值低至17mΩ，可显著降低功率损耗。高达20V的漏源击穿电压和1.1V的最大栅极阈值电压，使其能够安全、便捷地由3.3V/5V微控制器直接驱动，非常适合现代低电压数字系统。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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