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AO3480C 是一款采用 SOT-23-3 封装的 N 沟道 MOSFET，由 AOS 公司推出。其核心优势在于在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与低导通损耗的优异结合，额定漏源电压为 30V，连续漏极电流可达 5.7A。

该器件的关键技术卖点包括极低的导通电阻（典型值 26.5mΩ @ 10V Vgs），这能显著降低功率耗散；较低的栅极电荷（10nC）和输入电容，有利于实现高效率的高速开关；以及较低的栅极阈值电压（1.45V），确保了与标准逻辑电平的兼容性。这些特性使其成为空间受限且追求高效率的功率开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO3480C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.45V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3480C，AOS产品一站式供应商。