AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6413是一款由AOS制造的30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装。其核心电气参数定义了卓越的性能：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）低至8.5毫欧（@16A），显著降低了功率损耗；连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达32A，展现了强大的电流处理能力。
该器件具备58nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），有利于实现高速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。这些参数共同使其成为高效率电源转换和功率管理应用的优选解决方案。
基本参数：
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