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零件图片（仅供参考）
AOT160A60L
规格参数

AOT160A60L是一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS5产品系列。其核心规格包括600V的漏源电压和24A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至160mΩ，能有效降低传导损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为46nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机控制等高效能功率转换设计的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOT160A60L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2340pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT160A60L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT160A60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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