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AOI508是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻（3毫欧@10V, 20A）和高电流处理能力（管壳温度下连续漏极电流可达70A），能显著降低功率损耗，提升系统效率。

器件具备30V的漏源击穿电压，栅极驱动兼容标准逻辑电平（4.5V-10V），开关性能优异（栅极电荷仅49nC）。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行，适用于要求高效率和高可靠性的电源开关与电机驱动应用。

• 型号:AOI508
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2010 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI508，AOS产品一站式供应商。