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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI508是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻（3毫欧@10V, 20A）和高电流处理能力（管壳温度下连续漏极电流可达70A），能显著降低功率损耗，提升系统效率。
器件具备30V的漏源击穿电压，栅极驱动兼容标准逻辑电平（4.5V-10V），开关性能优异（栅极电荷仅49nC）。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行，适用于要求高效率和高可靠性的电源开关与电机驱动应用。
制造商产品型号：AOI508制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：49nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2010pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI508，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI508
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI508的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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