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零件图片(仅供参考)

规格参数
AONR32314是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(3x3)表面贴装封装。该器件额定漏源电压(Vdss)为30V,在壳温(Tc)条件下可支持高达30A的连续漏极电流,具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、17A Id条件下最大值仅为8.7毫欧,能显著降低传导损耗。同时,较低的栅极电荷(最大值32nC)和输入电容有助于实现高效率的快速开关。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等高效率、高频率应用的优选器件。

基本参数:
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