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AOU7S65是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-251-3通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而设计。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为650毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大9.2nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率并降低驱动需求。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热可靠性。

综合来看，AOU7S65凭借其高压耐受能力、中电流处理水平以及优化的开关特性，主要面向开关电源、功率转换及电机控制等领域的功率开关应用。

• 型号:AOU7S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:89W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251-3
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• AOU7S65，AOS产品一站式供应商。