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零件图片（仅供参考）
AO4612L
规格参数

AO4612L是一款集成N沟道与P沟道MOSFET的互补对管阵列，采用8-SOIC封装。其核心优势在于将两个不同沟道的MOSFET集成于单一芯片，为推挽、半桥等电路提供了紧凑的解决方案。

该器件具备60V的漏源电压耐受能力，N沟道和P沟道在25°C下可分别支持4.5A和3.2A的连续电流。其关键卖点是优异的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻分别低至56毫欧和105毫欧，能有效降低导通损耗。3V的最大栅极阈值电压确保了与常见逻辑电平的兼容性。

优化的动态参数，如较低的栅极电荷，有助于实现快速开关并降低开关损耗。其2W的功耗能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应要求严苛的工业与汽车环境应用。

  • 制造商产品型号：AO4612L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A (Ta)，3.2A (Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10.5nC @ 10V，20nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 30V，1120pF @ 30V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4612L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4612L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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