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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF095A60L是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，提供600V的漏源电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Id）额定值，适用于高要求的功率开关应用。
其关键特性包括在10V Vgs下低至95mΩ的导通电阻（Rds(on)），这有助于显著降低传导损耗。同时，78nC的低栅极电荷（Qg）支持快速开关，提升系统频率与效率。器件采用TO-220F封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在广泛环境条件下的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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