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零件图片（仅供参考）
AON7407
规格参数

AON7407 是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）紧凑型封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs和14A条件下，Rds(on)最大值仅为9.5毫欧，配合高达14.5A (Ta) / 40A (Tc)的连续漏极电流能力，能显著降低功率损耗，提升系统效率。

该器件设计用于低压、大电流的开关应用。其栅极驱动要求低，最大栅极电荷(Qg)仅53nC，且阈值电压适合1.8V至4.5V的逻辑电平直接驱动，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其20V的漏源电压额定值和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛的便携式与消费电子应用中的可靠性与稳定性。

  • 制造商产品型号：AON7407
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），40A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4195pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7407
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7407的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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