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零件图片（仅供参考）
AO8820
规格参数

AO8820是AOS公司推出的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极连接的N沟道MOSFET，专为节省空间和简化设计的高密度应用而优化。

其核心电气参数突出高效能与易驱动特性：最大漏源电压20V，连续漏极电流能力达7A，在10V Vgs下导通电阻低至21毫欧，有效降低了功率损耗。同时，最大1.1V的栅极阈值电压使其能直接兼容3.3V/5V微控制器，无需额外驱动。低至9nC的栅极电荷和500pF的输入电容确保了快速的开关响应。

综合来看，AO8820凭借其低导通电阻、逻辑电平驱动及紧凑封装，非常适合用于便携式设备的电源管理、DC-DC转换器的同步整流以及各类需要高效紧凑开关解决方案的场合。

  • 制造商产品型号：AO8820
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：500pF @ 10V
  • 功率-最大值：1.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO8820
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO8820的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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