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零件图片(仅供参考)
AO8822
规格参数

AO8822是AOS公司生产的一款采用8-TSSOP封装的双N沟道共漏极MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET,最大漏源电压(Vdss)为20V,在25°C下可支持高达7A的连续漏极电流(Id)。

其核心优势在于极低的功率损耗,导通电阻(RDS(on))典型值低至18毫欧(@7A,10V),配合最大仅1V的栅极阈值电压(Vgs(th))和18nC的栅极电荷(Qg),实现了高效率与快速开关性能的平衡。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)和1.5W的功耗能力,确保了其在各类环境下的可靠性。

这些特性使其成为空间紧凑型DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等功率管理应用的理想选择,能够有效提升系统能效与功率密度。

  • 制造商产品型号:AO8822
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):780pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AO8822
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO8822的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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