
我们为全球各个行业提供AOS AO8822及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO8822是AOS公司生产的一款采用8-TSSOP封装的双N沟道共漏极MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET,最大漏源电压(Vdss)为20V,在25°C下可支持高达7A的连续漏极电流(Id)。
其核心优势在于极低的功率损耗,导通电阻(RDS(on))典型值低至18毫欧(@7A,10V),配合最大仅1V的栅极阈值电压(Vgs(th))和18nC的栅极电荷(Qg),实现了高效率与快速开关性能的平衡。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)和1.5W的功耗能力,确保了其在各类环境下的可靠性。
这些特性使其成为空间紧凑型DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等功率管理应用的理想选择,能够有效提升系统能效与功率密度。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






