AOI2610E（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOI2610E是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件核心规格为60V漏源电压（V_DSS）和46A连续漏极电流（I_D），提供了出色的功率处理能力。

其设计重点在于优化功率损耗，通过实现极低的导通电阻来最小化传导损耗，同时凭借优化的开关特性（如栅极电荷）来降低开关损耗。这种高效的性能组合使其成为提升系统整体能效的关键元件。

该MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的功率转换与管理场景，是设计紧凑、高性能电源和电机驱动方案的优选器件。

制造商产品型号：AOI2610E

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 60V 46A TO251A

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOI2610E，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOI2610E

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 46A TO251A

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOI2610E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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