我们为全球各个行业提供AOS AOD4144_003现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOD4144_003是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，具备高电流处理能力，在特定散热条件下连续漏极电流（Id）可达55A。其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC，有利于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性，适用于对效率和功率密度有要求的电源管理应用。

• 制造商产品型号：AOD4144_003
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），55A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1430pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD4144_003，AOS产品一站式供应商。