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AOT125A60L 零件图片(仅供参考)

AOT125A60L
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AOT125A60L 规格参数

AOT125A60L 是 AOS 基于 aMOS5 技术推出的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。其核心优势在于 600V 的高耐压与低至 125 毫欧(@10V,14A)的导通电阻的出色结合,这显著降低了功率转换过程中的导通损耗。

该器件具备 28A 的高连续电流能力和 39nC 的低栅极电荷,支持快速开关并简化驱动设计,有助于提升开关电源和电机驱动等应用的工作频率与整体效率。宽泛的工作结温范围(-55°C 至 150°C)确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。

  • 型号:AOT125A60L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):39 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2993 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):357W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • AOT125A60L,AOS产品一站式供应商。
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AOT125A60L 基本参数:

  • 电子零件型号:AOT125A60L
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOT125A60L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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