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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7232是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效能功率转换设计。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和37A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。
该器件的显著优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下最大值仅为13.5毫欧，以及较低的栅极电荷（40nC），这共同确保了较低的导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和紧凑的封装形式，使其成为高密度、高可靠性电源和电机驱动应用的理想选择。
基本参数：
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