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AON6810是AOS公司生产的一款双N沟道、逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可支持高达25A的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。

其关键电气参数凸显了高效与易驱动的特点：在10V Vgs和20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.4mΩ，能显著降低导通损耗。最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.2V，确保其可直接由低压逻辑信号驱动。同时，34nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并控制驱动损耗。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，并凭借DFN封装裸露焊盘的设计实现了良好的热管理。

• 型号:AON6810
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1720pF @ 15V
• 功率 - 最大值:4.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁引线裸焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）
• AON6810，AOS产品一站式供应商。