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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4627是AOS公司生产的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件将两个逻辑电平门驱动的MOSFET集成于一体,支持3.3V/5V微控制器直接驱动,极大简化了电路设计并节省了PCB空间。
其核心电气参数表现出色,双MOSFET均具备30V的漏源电压(Vdss)。在10V Vgs条件下,导通电阻(Rds(on))低至50毫欧@4.5A,有效降低了导通损耗。同时,其栅极电荷(Qg)仅为5nC,输入电容(Ciss)为210pF,确保了快速的开关速度和低驱动损耗。器件结温工作范围覆盖-55°C至150°C,适用于要求高可靠性的应用环境。

基本参数:

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