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零件图片（仅供参考）
AOTF260L
规格参数

AOTF260L 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为2.6毫欧，能显著降低功率损耗，提升系统效率。

该器件额定漏源电压（Vdss）为60V，具备强大的电流承载能力，壳温下连续漏极电流（Id）高达92A。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在210nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性使其成为中等功率开关应用的理想选择。

此外，AOTF260L 支持宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了在恶劣热环境下的稳定性和可靠性，适用于对热管理有要求的工业与消费类电源设计。

  • 制造商产品型号：AOTF260L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 19A/92A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），92A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：210nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11800pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），46.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF260L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 19A/92A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF260L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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