
我们为全球各个行业提供AOS AO3409L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO3409L是AOS公司生产的一款P沟道MOSFET,采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在低压开关应用中的竞争力:30V的漏源电压(Vdss)和2.6A的连续漏极电流(Id)提供了稳健的电压电流处理能力。
该器件的关键优势在于其低导通电阻与快速开关性能。在10V Vgs下,其Rds(On)最大值仅为130mΩ,能显著降低导通状态下的功率损耗。同时,最大9nC的低栅极电荷(Qg)有助于实现高效的开关操作,减少驱动损耗并提升系统整体效率。这些特性使其非常适合用于空间紧凑、要求高效率的电源管理电路。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






