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AON5802A是一款由AOS制造的双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用6-DFN表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和7.2A的连续漏极电流（Id），在4.5V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至20毫欧，确保了高效的功率传输和较低的通态损耗。

该器件设计用于简化驱动并提升开关性能，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，可直接由微控制器驱动。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值10.7nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值1115pF @ 15V）使其适用于高频开关应用，有助于实现更高的功率密度和更快的瞬态响应。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了良好的环境适应性。

• 型号:AON5802A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN-EP（2x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1115pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
• AON5802A，AOS产品一站式供应商。