AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON5802A是一款由AOS制造的双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用6-DFN表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和7.2A的连续漏极电流（Id），在4.5V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至20毫欧，确保了高效的功率传输和较低的通态损耗。
该器件设计用于简化驱动并提升开关性能，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，可直接由微控制器驱动。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值10.7nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值1115pF @ 15V）使其适用于高频开关应用，有助于实现更高的功率密度和更快的瞬态响应。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了良好的环境适应性。
基本参数：
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