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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF10N65是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气规格为650V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键性能优势体现在其低损耗特性上。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，配合最大仅33nC的栅极电荷（Qg），实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。这一特性使其在追求高效率的开关电源设计中具有显著价值。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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