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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI5N40是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心电气参数包括400V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Id），为离线式电源应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下典型值低至1.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（8.5nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关电源的工作频率和效率。宽泛的工作温度范围（-50°C至150°C TJ）和78W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性。
基本参数：
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