AON2880 是 AOS 推出的一款采用 8-WFDFN 封装的表面贴装双 N 沟道 MOSFET 阵列。该器件集成了两个共漏极连接的逻辑电平 MOSFET，漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）达 7A，适用于中低电压、中等电流的功率开关应用。

其关键电气特性包括极低的导通电阻（21.5mΩ @ 5A, 4.5V）和低至 1V 的栅极阈值电压，确保了在高效率功率转换的同时，能够被标准逻辑电平直接驱动。优化的栅极电荷（9nC @ 4.5V）和输入电容参数，进一步提升了其开关性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能满足工业级应用的可靠性要求。