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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6908A是一款由AOS制造的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN表面贴装封装。该器件集成了两个30V耐压的MOSFET，构成一个半桥结构，旨在为紧凑型高能效电源和电机驱动应用提供核心开关解决方案。
其核心电气性能突出，在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）低至8.9毫欧，同时具备极低的栅极电荷（Qg典型值15nC），这共同优化了开关损耗与导通损耗的平衡，提升了系统效率。高达11.5A/17A的连续漏极电流能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在多种负载及环境条件下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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