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零件图片（仅供参考）
AOB600A60L
规格参数

AOB600A60L是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道MOSFET，采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装。该器件核心卖点在于其600V的高漏源电压额定值与8A的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其电气参数经过优化，旨在实现高效率。器件具备低至600毫欧的导通电阻，可有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（11.5nC）和3.5V的阈值电压确保了快速、高效的开关性能，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。这些特性使其成为开关电源和电机驱动等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOB600A60L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 2.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：608pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（D2Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB600A60L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 8A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB600A60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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